基于RTD的新型D锁存器设计

作     者：姚茂群 冯杰 沈珊瑚 YAO Maoqun;FENG Jie;SHEN Shanhu

作者机构：杭州师范大学国际服务工程学院浙江杭州311121 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61771179 61271124) 浙江省自然科学基金资助项目(LY15F010011) 

出 版 物：《浙江大学学报（理学版）》 (Journal of Zhejiang University（Science Edition）)

年 卷 期：2018年第45卷第6期

页      码：728-732页

摘      要：共振隧穿二极管(RTD)作为一种较成熟的量子器件,具有独特的负内阻特性,由RTD组成的单双稳态转换逻辑单元(MOBILE)能够很好地利用该特性进行数字电路设计.基于MOBILE,设计了一种新的RTD输出控制电路.该电路的优点是将RTD的正向和反向电流电压特性相结合,无须使用面积较大的三端器件,电路设计较便捷.采用RTD输出控制电路和HEMT器件,设计了一种新的D锁存器.该D锁存器采用高电平偏置电压,不仅可使MOBILE获得需要的高电平触发方式,而且电路具有自锁特性.HSPICE仿真实验证明,该D锁存器不仅电路结构简单,而且功耗低、速度快.

主 题 词：RTD MOBILE RTD控制输出方式 D锁存器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3785/j.issn.1008-9497.2018.06.014

馆 藏 号：203395306...