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一种低压BiCMOS四象限模拟乘法器的设计

一种低压BiCMOS四象限模拟乘法器的设计

作     者:管慧 汤玉生 Guan Hui;Tang Yusheng

作者机构:上海交通大学微电子技术研究所200030 

出 版 物:《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期:2000年第20卷第3期

页      码:270-275页

摘      要:提出了一种结构简单的采用 Bi CMOS线性区跨导和输入预处理电路的低压 Bi CMOS四象限模拟乘法器 ,详细分析了电路的结构和设计原理。设计采用典型的 1.2 μm Bi CMOS工艺 ,并给出了电路的 SPICE模拟结果。模拟结果表明 ,当电源电压为± 3V时 ,功耗小于 2 .5m W,线性输入电压范围大约± 2 V。当输入电压范围限于± 1.6 V时 ,总谐波失真和非线性误差均小于0 .8% ,- 3d B带宽大于 110 MHz。

主 题 词:模拟集成电路 模拟乘法器 四象限 设计 BiCMOS 

学科分类:080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录:

D O I:10.3969/j.issn.1000-3819.2000.03.006

馆 藏 号:203396590...

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