硅功率管芯片背面金属化结构研究

作     者：毛大立 颜本达 盛伯岭 

作者机构：上海交通大学材料科学系 上海无线电七厂 

出 版 物：《电子工艺技术》 (Electronics Process Technology)

年 卷 期：1991年第12卷第1期

页      码：32-33页

摘      要：本文分析了硅功率管管芯背面金属处理的结构设计原则,介绍了用多层金焊薄膜(Au/Ni/Cr)作为新的金属化处理方案及实际使用效果。

主 题 词：硅功率管 功率管 芯片 结构 金属化 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.14176/j.issn.1001-3474.1991.01.009

馆 藏 号：203396645...