机械刻槽深埋电极太阳电池中二氧化硅层的制备

作     者：郜小勇 卢景霄 李维强 GAO Xiao-yong;LU Jing-xiao;LI Wei-qiang

作者机构：郑州大学物理工程学院郑州450052 

基　　金：河南省自然科学基金资助项目 

出 版 物：《郑州大学学报（自然科学版）》 (Journal of Zhengzhou University (Natural Science))

年 卷 期：2000年第32卷第4期

页      码：43-45页

摘      要：结合实验室制备机械刻槽深埋电极太阳电池的工艺过程及实验结果 ,给出二氧化硅层参数的最佳设计及制备方法 .实验结果表明 ,10 0 0℃氧化温度下采用干 -湿 -干氧化法 ,经过 70分钟可生长 35 0 nm～45 0 nm厚的二氧化硅层 .这不仅大大缩短了高温氧化时间 ,降低了生产成本 。

主 题 词：机械刻槽 深埋电极 太阳电池 分凝系数 掩蔽层 二氧化硅 

学科分类：08[工学] 080502[080502] 0805[工学-能源动力学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1671-6841.2000.04.010

馆 藏 号：203396846...