基于AMR效应与Si集成的开关芯片制备与设计

作     者：武世祥 余涛 王鹏 徐慧忠 张万里 WU Shi-xiang;YU Tao;WANG Peng;XU Hui-zhong;ZHANG Wan-li

作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054 

基　　金：四川省科技支撑计划基金资助项目(2011GZ0118) 

出 版 物：《磁性材料及器件》 (Journal of Magnetic Materials and Devices)

年 卷 期：2014年第45卷第4期

页      码：34-36,57页

摘      要：采用射频(直流)磁控溅射的方法,在生长了约200nm厚Si3N4过渡层的硅片上制备了NiFe薄膜。采用惠斯通电桥作为磁场的感应部分,设计了惠斯通电桥的尺寸,并通过光刻剥离的技术制备了电桥。研究了NiFe薄膜厚度对电桥敏感特性的影响,确定了厚度为50nm时有较高的灵敏度。将磁电阻敏感单元与信号放大处理电路集成,成功地制作出了磁场感应阀值为160A/m(2Oe)的磁电阻开关芯片。

主 题 词：各向异性磁阻 溅射 NiFe薄膜 惠斯通电桥 开关芯片 

学科分类：080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-3830.2014.04.009

馆 藏 号：203397185...