低导通电阻800VMOSFET

出 版 物：《今日电子》 (Electronic Products)

年 卷 期：2015年第4期

页      码：65-66页

摘      要：800VSuperFET Ⅱ MOSFET系列提供广泛的可选封装并拥有超低的导通电阻和输出电容。新系列帮助设计师提高高性能解决方案（需要600V／650V以上的击穿电压）的效率、成本效益和可靠性，同时通过减少元件的使用从而减少这些设计的电路板空间。

主 题 词：低导通电阻 MOSFET 输出电容 击穿电压 成本效益 设计师 可靠性 电路板 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203397528...