假栅P区互联对沟槽栅IGBT性能的影响

作     者：罗海辉 肖强 余伟 杨鑫著 谭灿健 黄建伟 刘国友 LUO Haihui;XIAO Qiang;YU Wei;YANG Xinzhu;TAN Canjian;HUANG Jianwei;LIU Guoyou

作者机构：株洲中车时代电气股份有限公司湖南株洲412001 

出 版 物：《机车电传动》 (Electric Drive for Locomotives)

年 卷 期：2016年第3期

页      码：41-45页

摘      要：基于假栅条形元胞设计与200 mm(8英寸)沟槽栅成套关键工艺,成功研制1 700 V沟槽栅IGBT。通过Silvaco仿真与衬板测试,对比研究了假栅P区互联方式对器件的动静态特性与安全工作区的影响。与假栅P区接地方案相比,假栅P区浮空时器件导通与开关损耗更低、RBSOA能力更强。分析了假栅P区互联方式对器件性能的影响机理。器件采用假栅P区浮空方案,结合场截止与载流子存储技术,具有良好的综合性能,已通过各项验证,即将进行应用考核。

主 题 词：沟槽栅IGBT 假栅P区 空穴浓度 安全工作区 关断dV/dt 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13890/j.issn.1000-128x.2016.03.010

馆 藏 号：203397906...