高隔离度Ka波段平面魔T的设计

作     者：高艳红 徐军 吴洪江 王绍东 胡召宇 Gao Yanhong;Xu Jun;Wu Hongjiang;Wang Shaodong;Hu Zhaoyu

作者机构：电子科技大学物理电子学院成都610054 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2011年第36卷第8期

页      码：627-630页

摘      要：提出了一种适合于毫米波微波集成电路(M IC)的高隔离度平面魔T结构,该结构属于一种新型的180°平面型混合网络。基于传统的微带混合环原理,引入了微带-槽线过渡的结构,两个端口之间的180°相移通过微带-槽线转换结构实现,从而实现了输出端口的隔离。该结构采用多节阻抗匹配网络,增加了工作带宽,使微带-槽线过渡结的寄生耦合最小化。通过设计可实现得到最小尺寸的槽线终端,降低了微带-槽线过渡结的辐射损耗。引入的等效电路模型有效地提高了平面魔T的设计。借助CST软件,仿真优化了λg/4变换器以及微带-槽线转换结构的阻抗匹配,提高了隔离度。实验结果表明:在工作带宽(34～36 GHz)内,该结构输出端口2和3的隔离度达20 dB,输入端口回波损耗低于18 dB,插入损耗1 dB。

主 题 词：高隔离度 Ka波段 平面魔T 微带-槽线 阻抗匹配 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 081001[081001] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353x.2011.08.012

馆 藏 号：203401691...