应用于汽车电路系统的P沟道功率MOSFET器件

作     者：章从福 

出 版 物：《半导体信息》 (Semiconductor Information)

年 卷 期：2004年第4期

页      码：27-27页

摘      要：Siliconix宣布推出针对汽车12V板网高端开关与电动机驱动应用的P沟道MOSFET系列器件。这种新型器件将MOSFET导通电阻降到了低于业界记录的水平。目前推出的六款器件的最大RDS(on)额定值为4.2mΩ～1.5mΩ。由于P沟道MOSFET无需其他高端驱动电路来打开,因此与N沟道解决方案相比,有助于设计人员减少汽车与工业系统内的元件数并提高系统可靠性。

主 题 词：导通电阻 驱动电路 汽车电路 系统可靠性 元件数 电动机驱动 人员减少 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203401692...