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美国Peregrine开发出CMOS基开关

美国Peregrine开发出CMOS基开关

作     者:陈裕权 

出 版 物:《半导体信息》 (Semiconductor Information)

年 卷 期:2005年第1期

页      码:27-28页

摘      要:直接接到全球通手机天线上的首只CMOS开关的问世可能对GaAs PHEMT RF开关市场是个威胁。开发上述CMOS开关的美国圣地亚哥的Peregrine Semiconductor公司说,这种CMOS 开关已在一些手机初步设计结构中得到确认,其产量目前直线上升。

主 题 词:Peregrine 美国圣地亚哥 PHEMT 绝缘体上硅 器件性能 半绝缘 插损 蓝宝石衬底 淀积 外形尺寸 

学科分类:080903[080903] 0202[经济学-财政学类] 02[经济学] 020205[020205] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号:203401692...

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