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脑电检测前置放大器静电保护电路的设计

脑电检测前置放大器静电保护电路的设计

作     者:王敏 陈亚光 Wang Min;Chen Yaguang

作者机构:武昌理工学院信息工程学院湖北武汉430223 中南民族大学生物医学工程学院湖北武汉430074 

基  金:国家自然科学基金(30370397) 

出 版 物:《电子技术应用》 (Application of Electronic Technique)

年 卷 期:2013年第39卷第7期

页      码:80-82页

摘      要:以CMOS仪表运算放大器作为脑电检测前置放大器是经常选择的技术方案。但是,在使用过程中人体静电所产生的高能电子流会击穿COMS管的绝缘栅并停留在那里,从而使得放大器无法正常工作。采用在输入回路中并接二极管或电容器的方法可以实现静电保护,但由于器件参数的不对称性将极大地降低系统的共模抑制比。为此设计了一个有源储能电路,通过该电路能精密调节等效电容量的大小,在不影响共模抑制比的前提下,提高了放大器的抗静电能力,增强了系统的可靠性。

主 题 词:CMOS仪表放大器 静电保护 有源电容 

学科分类:080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D O I:10.16157/j.issn.0258-7998.2013.07.016

馆 藏 号:203402018...

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