相变存储器的高可靠性多值存储设计

作     者：洪洋 林殷茵 汤庭鳌 Bomy Chen HONG Yang;LIN Yin-yin;TANG Tin-gao;BOMY Chen

作者机构：复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 Silicon Storage Technology Inc.1171 Sonora Court 

出 版 物：《复旦学报（自然科学版）》 (Journal of Fudan University：Natural Science)

年 卷 期：2006年第45卷第1期

页      码：49-53,72页

摘      要：基于相变存储器(PCM)已有的2T2R结构,提出一种以比值为导向的状态定义方法,以实现2T2R结构下PCM的多值存储.它在相变电阻具有4态可编写的能力下,可以实现单元内8态存储,同时对小尺寸验证,而对PCM存储电路的优化将使得PCM更具竞争力.同样基于这种以比值为导向的状态定义,一种软硬件相结合的新型纠错码方法使得对全部数据位的错误监测成为可能.

主 题 词：相变存储器 2T2R 多值存储 一维比值空间 校验纠错码 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.0427-7104.2006.01.011

馆 藏 号：203402052...