低相位噪声CMOS LC压控振荡器的设计与优化

作     者：郭雪锋 王志功 李智群 Guo Xuefeng;Wang Zhigong;Li Zhiqun

作者机构：东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 

基　　金：863计划(2002AAlZl600)资助项目 

出 版 物：《高技术通讯》 (Chinese High Technology Letters)

年 卷 期：2008年第18卷第12期

页      码：1280-1284页

摘      要：采用线性时变(LTV)模型分析了电压偏置型 CMOS LC 交叉耦合压控振荡器(VCO)的相位噪声。以相位噪声为优化目标,元件参数为设计变量,根据理论计算与仿真结果确定了晶体管宽长比和谐振腔电感的最佳值,完成了电路的优化过程。并以此优化结果为依据,用 0.18gm CMOS 工艺设计、实现了一个芯片面积为1.1mm×0.7rnm 的 LC 交叉耦合振荡器。测试结果表明,在1.8V 电源电压下,该压控振荡器的频率范围覆盖1150～1210 MHz,10kHz 频偏处相位噪声达到-89dBc/Hz,核心电流4.3mA,抑制相位噪声性能优于其他振荡器。

主 题 词：压控振荡器 相位噪声 线性时变 优化 

学科分类：0810[工学-土木类] 080904[080904] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3772/j.issn.1002-0470.2008.12.012

馆 藏 号：203402197...