基于磨损行为的单晶硅片化学机械抛光界面接触形式研究

作     者：苏建修 杜家熙 陈锡渠 张学良 郭东明 SU Jian-xiu;DU Jia-xi;CHEN Xi-qu;ZHANG Xue-liang;GUO Dong-ming

作者机构：河南科技学院机电学院河南新乡453003 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室辽宁大连116024 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50390061) 河南省教育厅自然科学研究计划资助项目(2008B460007) 河南科技学院高层次人才启动基金资助项目 

出 版 物：《摩擦学学报》 (Tribology)

年 卷 期：2008年第28卷第2期

页      码：108-111页

摘      要：设计了3种不同的抛光液并进行一系列抛光试验,得到机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率,分析了化学机械抛光时硅片与抛光垫之间接触形式的判别方法及其抛光机理.结果表明:化学机械抛光中的主要作用为磨粒的机械作用;材料的去除率主要为磨粒与抛光液交互作用所引起的材料去除率;硅片表面材料的去除形式主要为化学作用下的二体磨粒磨损;化学机械抛光时硅片与抛光垫之间的接触形式为实体接触.

主 题 词：化学机械抛光 材料去除机理 材料去除率 磨粒磨损 接触形式 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 0817[工学-轻工类] 08[工学] 080203[080203] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0703[理学-化学类] 0802[工学-机械学] 0801[工学-力学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1004-0595.2008.02.003

馆 藏 号：203403042...