2．4GHzCMOS低噪声放大器设计

作     者：王良坤 马成炎 叶甜春 WANG Liangkun;MA Chengyan;YE Tianchun

作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 杭州中科微电子有限公司杭州310053 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2008年第38卷第2期

页      码：262-266页

摘      要：提出并设计了一个2.4 GHz低噪声放大器,该放大器采用TSMC 0.25μm RF CMOS工艺实现。与传统的共源共栅结构相比,该电路引入了一个电感与级间寄生电容谐振,使整个电路的线性度、噪声系数等关键性能指标得到改善。该放大器的正向功率增益为17 dB,NF为1.35dB,IIP3为8.1 dBm,功耗为16 mW,且输入输出阻抗匹配良好,满足无线接收机射频前端对高线性度低噪声放大器的要求。

主 题 词：CMOS 射频集成电路 低噪声放大器 无线接收机 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203403052...