GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格扩展态电子能级结构的理论研究

作     者：李文兵 赵国忠 王福合 Li Wenbing;Zhao Guozhong;Wang Fuhe

作者机构：首都师范大学物理系北京100037 

基　　金：北京市教育委员会科技发展计划项目资助(项目编号:2228132) 

出 版 物：《首都师范大学学报（自然科学版）》 (Journal of Capital Normal University：Natural Science Edition)

年 卷 期：2005年第26卷第4期

页      码：21-24,31页

摘      要：运用Kroning_Penney模型,研究了GaAs/AlxGa1-xAs超晶格扩展态(E>V0)的电子能级结构和带宽随超晶格的阱宽、垒宽和A1组分的变化关系,以及扩展态能量随波矢k的变化关系.计算结果表明:影响光跃迁频率的最大因素是阱宽和A1的组分,随着阱宽的增加,光跃迁频率逐渐减小,随着A1组分的增加,光跃迁频率逐渐增大;影响带宽的较大因素是阱宽和垒宽,随着阱宽和垒宽的增大,带宽逐渐减小.这些将对实验和器件设计具有指导意义.

主 题 词：Kroning—Penney模型 扩展态 电子有级结构 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-9398.2005.04.005

馆 藏 号：203403405...