GaNAs/GaAs中的激子局域化和发光特性

作     者：罗向东 徐仲英 谭平恒 GE Wei-Kun 

作者机构：南通大学理学院江苏省光用集成电路设计重点实验室江苏南通226007 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室北京100083 香港科技大学物理系 

基　　金：国家自然科学基金(10274081 10334040) 江苏省自然科学基金(BK2004403) 

出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)

年 卷 期：2005年第24卷第3期

页      码：185-188页

摘      要：通过多种光谱手段研究了GaNAs量子阱和体材料中的局域态和非局域态的不同光学特性.在超短激光脉冲激发下,第一次在GaNAs/GaAs量子阱发光光谱中,观察到非局域激子发光.选择激发光谱表明,局域中心主要聚集在GaNAs、GaAs异质结界面.在低N含量的GaNAs体材料发光光谱中,除了与N相关的局域态发光外,也发现发光特性完全不同的GaNAs合金态发光.这些结果为理解ⅢⅤN族半导体的异常能带特性具有十分重要的意义.

主 题 词：GaNAs 激子局域化 光学性质 量子阱 半导体材料 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1001-9014.2005.03.006

馆 藏 号：203408776...