集成电路可制造性设计中器件参数的提取

作     者：霍林 郭琦 李惠军 HUO Lin;GUO Qi;LI Hui-jun

作者机构：山东大学孟尧微电子研发中心济南250100 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2005年第42卷第12期

页      码：578-582页

摘      要：分别采用流体力学模型和漂移扩散模型对不同沟道长度的NMOSFET进行衬底电流的提取,并以NMOSFET沟道长度和LDD注入峰值综合对器件特性的影响为研究内容,介绍了集成电路可制造性设计中器件参数的优化与提取。

主 题 词：超大规模集成电路 超深亚微米 可制造性设计 半导体器件模拟 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1671-4776.2005.12.010

馆 藏 号：203408948...