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背景辐射对甚长波碲镉汞光导器件性能的影响

背景辐射对甚长波碲镉汞光导器件性能的影响

作     者:张燕 方家熊 ZHANG Yan;FANG Jia-xiong

作者机构:中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 

基  金:国家自然科学基金资助项目(60807037) 

出 版 物:《红外与激光工程》 (Infrared and Laser Engineering)

年 卷 期:2008年第37卷第6期

页      码:972-975页

摘      要:通过对甚长波碲镉汞器件的信号、噪声、有效寿命等的测试分析,研究背景辐射对甚长波器件性能的影响。利用冷光阑和黑体照射改变器件接收的背景辐射,设计并搭建了变背景有效寿命测试装置。改变背景辐射,测试甚长波器件的电阻、信号、噪声、噪声频谱、有效寿命。测量结果表明,增加立体角为30°的冷光阑后,随着背景辐射的减小,器件的电阻、信号、噪声、探测率等都有不同程度的增加;噪声频谱测试证明,1kHz频率处的噪声主要是产生-复合噪声;改变黑体温度的变背景的有效寿命测试结果证明,背景辐射对寿命的影响很大,背景辐射减小,光生载流子的有效寿命增加。分析甚长波器件表面和体内的S-R复合、俄歇复合、辐射复合等复合机制,利用非平衡载流子和器件有效寿命理论对器件的寿命和产生复合噪声随背景辐射的变化进行理论计算,计算结果与实验结果存在一定的差异,但在随背景辐射变化的趋势上一致,并对两者的差别进行了分析。

主 题 词:背景辐射 甚长波 碲镉汞 有效寿命 表面复合 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0803[工学-仪器类] 

核心收录:

D O I:10.3969/j.issn.1007-2276.2008.06.008

馆 藏 号:203409858...

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