一种超快速响应的片上线性稳压器

作     者：杨柳 孙曼 洪志良 YANG Liu;SUN Man;HONG Zhiliang

作者机构：复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 

基　　金：Intel产品(上海)有限公司资助 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2008年第28卷第4期

页      码：612-615,626页

摘      要：设计了一种片上超高速低压差(LDO,low dropout)线性稳压器。在仅利用100pF输出电容情况下,采用一种新颖的快速响应回路,使LDO可以响应20ns内负载电流由空载到满载的瞬态变化,大大提高了系统的瞬态响应性能。快速响应回路同时具有补偿作用,保证LDO的稳定性。芯片设计基于SMIC公司的0.35μm CMOS工艺信号模型。测试结果表明,LDO在工作模式下的静态电流约为120μA,在等待模式下的静态电流约为9μA,对上升、下降时间均小于60ns的脉冲信号具有良好的瞬态响应。

主 题 词：低压差线性稳压器 快速响应回路 稳定性 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 080902[080902] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2008.04.030

馆 藏 号：203409908...