具备更强机械性能的高功率IGBT模块——采用最新3.3kV IGBT3芯片技术

作     者：Th.Stolze J.Biermann R.Spanke M.Pfaffenlehner 

作者机构：英飞凌科技股份公司 

出 版 物：《电力电子》 (Power Electronics)

年 卷 期：2010年第8卷第1期

页      码：69-72页

摘      要：本文介绍了新一代IHM.B具备更强机械性能的高功率IGBT模块,其融合了最新的设计、材料、焊接和安装技术。首批IHM.B模块将搭载最新的、采用沟槽栅单元设计的3.3kV IGBT3芯片,在保持机械兼容性的同时,极大地提高了器件的热效率和电气效率。本文还对宇宙射线以及功率循环试验进行了研究。

主 题 词：具备更强机械性能 高功率IGBT模块 3.3kV IGBT3芯片技术 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203410457...