一个用于深亚微米电路模拟的MOSFET解析模型

作     者：张文良 田立林 杨之廉 

作者机构：清华大学微电子所 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：1999年第20卷第2期

页      码：113-121页

摘      要：本文提出了一个新的深亚微米ＭＯＳＦＥＴ模型，它计入了影响深亚微米器件工作的各种二级物理效应．模型采用一个统一的公式描述所有的器件工作区，可以保证无穷阶连续．不仅适用于数字电路，而且可用于模拟电路的设计．模型计算的结果与实测器件的结果十分一致．

主 题 词：MOSFET 深亚微米电路 IC 模型 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

馆 藏 号：203410521...