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积层(Build-up)封装工艺的发展及其设计挑战(1)

积层(Build-up)封装工艺的发展及其设计挑战(1)

作     者:吴梅珠 吴小龙 WU Mei-zhu;WU Xiao-long

作者机构:江南计算技术研究所江苏无锡214083 

出 版 物:《印制电路信息》 (Printed Circuit Information)

年 卷 期:2011年第19卷第5期

页      码:8-16,52页

摘      要:回顾了自1988年以来的逐次积层(SBU)层压基板的发展过程。文中报告了IBM自2000年采用的这种工艺的开发过程。这些层压基板是一种非均匀性结构,有3部分组成:芯板,积层和表面层,每一部分都是为满足封装应用的需求而开发。薄膜工艺极大提高了SBU层压基板的绕线能力,同时也使得这种工艺非常适合高性能设计。本文着重阐述了IBM在将该工艺用于ASIC和微处理器封装时,在设计、制造和可靠性测试等各个阶段所遇到的挑战。

主 题 词:逐次积层 层压基板 封装 微处理器设计 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D O I:10.3969/j.issn.1009-0096.2011.05.004

馆 藏 号:203410925...

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