高功率GaAlAs/GaAs量子阱SCH半导体激光器

作     者：宋晓伟 张宝顺 李梅 薄报学 Song Xiaowei;Zhang Baoshun;Li Mei;Bo Baoxue

作者机构：长春光机学院高功率半导体激光国家重点实验室长春130022 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：1999年第10卷第6期

页      码：505-507页

摘      要：利用分子束外延生长装置生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ）单量子阱结构材料。样品的测量结果表明，样品质量达到了设计要求。利用该材料制作的激光二极管，室温连续工作，功率为１ Ｗ，斜率效率达到１．０４ Ｗ／Ａ。

主 题 词：半导体激光器 量子阱 GaAs SCH 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1005-0086.1999.06.006

馆 藏 号：203411029...