500V沟槽阳极LIGBT的设计与优化

作     者：邵雷 李婷 陈宇贤 王颖 

作者机构：哈尔滨工程大学信息与通信工程学院哈尔滨150001 

基　　金：哈尔滨市科技创新人才研究专项基金资助项目(RC2007QN009016) 

出 版 物：《北京工业大学学报》 (Journal of Beijing University of Technology)

年 卷 期：2012年第38卷第8期

页      码：1153-1157页

摘      要：介绍一种双外延绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)结构的沟槽阳极横向绝缘栅双极型晶体管(trenchanode lateral insulated-gate bipolar transistor,TA-LIGBT).沟槽阳极结构使电流在N型薄外延区几乎均匀分布,并减小了元胞面积;双外延结构使漂移区耗尽层展宽,实现了薄外延层上高耐压低导通压降器件的设计.通过器件建模与仿真得到最佳TA-LIGBT的结构参数和模拟特性曲线,所设计器件击穿电压大于500 V,栅源电压Vgs=10 V时导通压降为0.2 V,特征导通电阻为123.6 mΩ.cm2.

主 题 词：沟槽 横向绝缘栅双极晶体管 击穿电压 导通压降 阈值电压 特征导通电阻 

学科分类：080903[080903] 0810[工学-土木类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

馆 藏 号：203411593...