硅外延工艺与基座的相关性研究

作     者：高淑红 赵丽霞 袁肇耿 侯志义 王艳祥 Gao Shuhong;Zhao Lixia;Yuan Zhaogeng;Hou Zhiyi;Wang Yanxiang

作者机构：河北普兴电子科技股份有限公司石家庄050020 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2012年第37卷第8期

页      码：638-641页

摘      要：硅外延使用包封SiC的石墨基座,基座的尺寸及基座上承载槽的形貌和硅外延片的滑移位错直接相关。为使高温下Si片内产生的应力不超过滑移位错产生的临界应力,必须使Si片处于均匀的温区。实际使用表明,基座边缘热辐射及热量被气流带走使基座两个边缘温度急剧下降,必须对边缘温区进行补偿及装片时避开基座边缘一定距离;高温时Si片通过基座获得热量并发生形变,基座上承载槽的形貌设计必须兼顾厚度匀匀性及Si片高温时形变的方向。研究表明,金属沾污尤其是重金属催化作用及过腐蚀是影响基座寿命的关键因素。

主 题 词：硅外延 基座 承载槽 位错 金属沾污 过腐蚀 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353x.2012.08.013

馆 藏 号：203411599...