6-18 GHz宽带驱动放大器的研制

作     者：李远鹏 赵炳忠 魏洪涛 刘永强 

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 渤海石油职业学院河北沧州062552 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2016年第41卷第6期

页      码：425-428,480页

摘      要：基于GaAs PHEMT工艺,设计制作了6-18 GHz驱动放大器单片电路。电路采用三级放大器拓扑结构,＋5 V单电源供电。第一级采用负反馈电路结构,级间采用有耗匹配结构实现工作带宽。为了实现较高的工作效率,对输出级器件进行了负载牵引仿真,确定了输出级器件的静态工作点和匹配结构。测试结果表明,在6-18 GHz,增益大于18 d B,输入输出回波损耗小于-10 d B,1 d B压缩点功率输出功率大于21 d Bm,饱和功率大于24 d Bm,功率附加效率大于25%,芯片尺寸为1.35 mm×1.00 mm。该电路具有频带宽、效率高、尺寸小等特点,可用于多种小型封装产品,具有广泛的应用前景。

主 题 词：GaAs 宽带 效率 驱动放大器 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 080902[080902] 08[工学] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2016.06.005

馆 藏 号：203413330...