势垒层注入氢离子的AlGaN/GaN LDD-HEMT设计与仿真

作     者：杨鹏 杨琦 刘帅 Yang Peng;Yang Qi;Liu Shuai

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2018年第43卷第12期

页      码：905-911页

摘      要：普通结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受漏极高压影响,器件沟道内的电场线在栅电极附近不断汇聚,最终导致AlGaN/GaN HEMT器件提前击穿。为了提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐电压能力和沟道电场均匀性,先建立漏极离子轻掺杂(LDD)结构的AlGaN/GaN HEMT模型,在势垒层中引入带负电荷的氟离子会降低沟道内的正极化电荷,形成类似于"栅场板"结构,以增加导通电阻为代价降低栅电极附近沟道内电场峰值。之后在漏极附近势垒层进行氢离子注入,来补偿LDD结构输出特性的损失,并进一步均匀沟道电场分布,提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐压特性。最终设计的AlGaN/GaN HEMT器件导通电阻为0. 766 mΩ·cm2,击穿电压为1 176 V。

主 题 词：AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件 漏极离子轻掺杂(LDD)技术 增强型HEMT 击穿电压 氢离子注入 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13290/J.CNKI.BDTJS.2018.12.005

馆 藏 号：203416061...