基于一种NAND闪存页缓存器设计的C/F读取算法研究

作     者：陈珂 杜智超 叶松 王颀 霍宗亮 CHEN Ke;DU Zhi-chao;YE Song;WANG Qi;HUO Zong-liang

作者机构：成都信息工程大学通信工程学院四川成都610225 中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学微电子学院北京100029 

基　　金：国家自然科学基金(No.61474137) 国家自然科学基金(No.61404168) 

出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)

年 卷 期：2018年第46卷第11期

页      码：2619-2625页

摘      要：为减小共源线噪声对NAND闪存读可靠性的影响,设计了一种可实现C/F(Coarse/Fine)读取操作的页缓存器电路,并设计实现了适用于此电路的C/F读取算法,显著减小了共源线噪声.该算法通过两次子读感应读取存储单元,在第一次子读感应中分辨出阈值电压较低的存储单元并标记在页缓存器中,使其不再进行第二次子读感应,从而减小共源线噪声引起的阈值偏移.电路仿真计算表明,该支持C/F读取算法的页缓存器结构能够减小阈值偏移至少495. 6mV,有效提高了NAND闪存读操作的精确性.

主 题 词：NAND闪存 多值存储单元 页缓存器 Coarse/Fine读取算法 读可靠度 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.0372-2112.2018.11.008

馆 藏 号：203416153...