一种新型单粒子翻转加固SRAM单元

作     者：刘鸿瑾 李天文 稂时楠 张建锋 刘群 袁大威 Liu Hongjin;Li Tianwen;Lang Shinan;Zhang Jianfeng;Liu Qun;Yuan Dawei

作者机构：北京轩宇空间科技有限公司北京100190 北京控制工程研究所北京100190 北京工业大学信息学部北京100124 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(41606219 41776186) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2018年第43卷第12期

页      码：941-948页

摘      要：随着器件特征尺寸缩小,发生在敏感节点之间的电荷共享使加固静态随机存储器(SRAM)单元容易发生单粒子翻转(SEU)。通过对ROCK,WHIT,Quatrol及JUNG等SRAM单元的SEU加固机理分析,提出一种新型SEU加固SRAM单元,并从面积、延时、功耗和SEU恢复时间等方面对传统加固单元和新结构进行了对比与分析。结果表明新型SEU加固SRAM单元具有更高的临界电荷和更低的SEU恢复时间。由于其只有两个翻转敏感节点对,新结构抗SEU的能力优于ROCK,Quatrol和JUNG结构。新提出的结构以较小的面积和性能代价,显著提高SRAM单元抗SEU能力,可有效降低SRAM型存储器在深亚微米工艺节点的软错误率。

主 题 词：单粒子翻转(SEU) 静态随机存储器(SRAM) 抗辐照加固设计 多节点翻转 存储器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

D　O　I：10.13290/J.CNKI.BDTJS.2018.12.011

馆 藏 号：203416793...