高压VDMOS用外延片的外延参数设计

作     者：赵丽霞 袁肇耿 张鹤鸣 Zhao Lixia;Yuan zhaogeng;Zhang Heming

作者机构：河北普兴电子科技股份有限公司石家庄050200 西安电子科技大学微电子学院西安710071 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2009年第34卷第4期

页      码：348-350页

摘      要：通过理论计算,对VDMOS器件的外延层厚度和掺杂浓度进行了优化设计,探讨用于VDMOS的外延工艺,讨论了外延层厚度和过渡区的测试方法,提出了有效外延层厚度是影响击穿电压的最关键参数,应用此参数监控外延工艺,提高了片内及批次间的击穿电压一致性。特别通过对600 V的VDMOS外延参数及其器件结果分析得出,用此参数来调整中间和边缘厚度及不同外延设备之间的参数,使同种参数下有效外延层厚度保持相当,则可以大大减少离散性和设备间变差。

主 题 词：过渡区 击穿电压 硅外延 外延层厚度 外延层电阻率 有效外延层厚度 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353X.2009.04.013

馆 藏 号：203417107...