低k氟化非晶碳层间介质对芯片性能的影响

作     者：蒋昱 吴振宇 汪家友 JIANG Yu;WU Zhen-yu;WANG Jia-you

作者机构：西安电子科技大学微电子研究所西安710071 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2005年第42卷第8期

页      码：365-368页

摘      要：讨论了通过合理设计的工艺流程将低k氟化非晶碳材料应用到制造工艺中作为互连介质对集成电路性能的影响。基于一个互连结构简化模型计算出采用低k氟化非晶碳材料作为互连介质后RC延迟、功率耗散和线间串扰的变化情况。采用低k氟化非晶碳介质后,RC延迟和功率耗散随着互连长度的增大而减小,线间串扰也得到显著抑制。

主 题 词：互连 低介电常数 介质 氟化非晶碳 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1671-4776.2005.08.005

馆 藏 号：203417107...