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与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计

与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计

作     者:毛陆虹 陈弘达 吴荣汉 唐君 梁琨 粘华 郭维廉 李树荣 吴霞宛 

作者机构:中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 天津大学电子与信息工程学院天津300072 

基  金:国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6983 60 2 0 698960 2 0 )~~ 

出 版 物:《Journal of Semiconductors》 (半导体学报(英文版))

年 卷 期:2002年第23卷第2期

页      码:193-197页

摘      要:用器件模拟的方法 ,设计了一种与常规 CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器 ,该探测器可与 CMOS接收机电路单片集成 ,对该探测器进行了器件模拟研究 ,给出了该探测器的电路模型 .通过 MOSIS(MOS im plem entationsupport project) 0 .35μm COMS工艺制做了该探测器 ,实际测试了该器件的频率响应和波长响应 ,探测器频率响应在 1GHz以上 ,峰值波长响应在 0 .6 9μm.

主 题 词:光电探测器 器件模拟 CMOS工艺 兼容 设计 

学科分类:08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录:

D O I:10.3321/j.issn:0253-4177.2002.02.017

馆 藏 号:203417108...

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