CdZnTe核辐射探测器表面物理和化学钝化研究

作     者：金玮 桑文斌 李万万 葛艳辉 闵嘉华 张明龙 

作者机构：上海大学嘉定校区电子信息材料系上海201800 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10175040) 

出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期：2004年第35卷第4期

页      码：467-469页

摘      要：　表面漏电流引起的噪声会限制CdZnTe(CZT)探测器的性能,尤其对于共面栅探测器,漏电噪声的大小与器件的电极设计和表面处理工艺密切相关。本文比较了探测器表面的物理和化学钝化工艺:采用H2O2溶液和KOH KCl溶液对CZT样品进行湿化学钝化处理,采用RFPCVD法在CZT样品表面沉积类金刚石薄膜(DLC)进行物理干法钝化。借助俄歇电子能谱(AES)和显微拉曼光谱以及ZC36微电流测试仪等手段研究了CZT表面组成与器件电学性能之间的关系。AES结果表明KOH KCl溶液钝化可以改善CZT样品表面的化学组分比,H2O2溶液钝化可以将表面富Te层转化为高阻氧化层,钝化前后的I V特性曲线表明两种化学钝化方法均可以有效地减小器件表面漏电流,达到满意的钝化效果。CZT样品表面物理钝化通过在样品表面沉积DLC薄膜加以实现,显微拉曼光谱表明CZT表面钝化层是高sp3含量的DLC薄膜,AES深度剖析表明DLC薄膜可以有效阻止CZT内部元素的外扩散,并且DLC薄膜内部C元素向CZT内部的扩散也是比较低的。DLC薄膜钝化后的CZT共面栅探测器表面栅距25μm的栅间电阻可以达到12GΩ,有效地降低了器件的表面漏电流。

主 题 词：CdZnTe 核辐射探测器 钝化 类金刚石薄膜 漏电流 

学科分类：082704[082704] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0827[工学-食品科学与工程类] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1001-9731.2004.04.023

馆 藏 号：203417637...