体硅FinFET三维模拟

作     者：周华杰 徐秋霞 ZHOU Hua-jie;Xu Qiu-xia

作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 

基　　金：国家重点基础研究发展计划资助(编号:2006CB302704) 国家自然科学基金资助项目(编号:60576032) 

出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)

年 卷 期：2008年第14卷第6期

页      码：949-954页

摘      要：利用三维模拟软件Davinci对体硅FinFET器件进行了详细的模拟。模拟结果显示体硅FinFET器件能够有效的抑止短沟道效应,具有驱动电流大、散热好、成本低等优点。为了获得好的亚阈值特性,Fin的厚度要比较薄,同时Fin的高度不能太低,以保持足够的高度来抑止短沟道效应。沟道可以采用低掺杂或未掺杂设计,从而减少沟道内杂质对载流子的散射作用和杂质涨落效应对器件性能的影响。另外,为了获得合适的器件阈值电压,体硅FinFET器件应当采用功函数在中间带隙附近的材料做栅电极,同时采用适当的功函数调节方法来获得合适的阈值电压。

主 题 词：体硅 FinFET 新结构 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.002

馆 藏 号：203417638...