GaAs器件和MMIC的失效分析

作     者：崔晓英 黄云 恩云飞 CUI Xiao-ying;HUANG Yun;EN Yun-fei

作者机构：工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室广州510610 

基　　金：国防科技重点实验室基金项目(JS0926270) 

出 版 物：《失效分析与预防》 (Failure Analysis and Prevention)

年 卷 期：2010年第5卷第3期

页      码：187-192页

摘      要：从可靠性物理的角度,分析引起砷化镓(GaAs)器件和单片微波集成电路(MMIC)退化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了GaAsMMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入了损伤退化,并针对几种常见的失效原因:过电烧毁、静电损伤、器件分层、设计和工艺缺陷等进行举例分析,为生产和使用过程中控制其主要的失效模式及失效机理提供参考和依据。

主 题 词：砷化镓器件 单片微波集成电路 失效模式和机理 失效分析 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1673-6214.2010.03.013

馆 藏 号：203418998...