C波段200W高增益GaN功率模块

作     者：吕立明 奚红杰 贺莹 LU Liming;XI Hongjie;HE Ying

作者机构：中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621000 南京电子器件研究所南京210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2018年第38卷第6期

页      码：403-407页

摘      要：报道了一款采用0.35μm GaN HEMT工艺的C波段高增益功率模块。模块采用三级放大电路拓扑,正负电源结构设计。末级匹配电路采用低损耗高Q值的陶瓷片实现,通过一级L-C阻抗变换和两级威尔金森功分器,既进行了阻抗匹配又实现了功率合成。前级和中间级匹配电路采用高集成GaAs匹配电路实现,通过优化前级和中间级的推动比和级间匹配电路,降低了驱动级功耗。整个模块采用低热膨胀率、高热导率的铜-钼-铜(CMC)载板实现,解决了管芯热匹配和热传导的问题。通过这三种技术途径有效实现了模块的高效率、小型化和低成本。测试表明,该器件在5.2～5.9GHz频带内、28V工作电压下,饱和输出功率达到了200 W以上,此时功率增益为26dB、典型功率附加效率(PAE)为50%。

主 题 词：GaN HEMT C波段 高增益 功率模块 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.19623/j.cnki.rpsse.2018.06.003

馆 藏 号：203424069...