基于SiGe BiCMOS工艺的802.11ac系统射频前端芯片设计

作     者：陈亮 朱彦青 陈悦鹏 CHEN Liang;ZHU Yanqing;CHEN Yuepeng

作者机构：南京国博电子有限公司南京210016 南京电子器件研究所南京210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2018年第38卷第6期

页      码：408-413页

摘      要：基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款工作在5.15～5.85GHz的用于802.11ac系统的高集成射频前端芯片。芯片集成低噪声放大器、开关、功率放大器以及电源管理电路、功能控制电路、静电放电(Electrostatic discharge,ESD)保护电路。芯片面积为1.56mm×1.56mm,封装采用尺寸为2.5mm×2.5mm×0.5mm的16管脚QFN封装形式。芯片电源电压为5V,控制电压为3.3V。测试结果表明,发射通路的直流电流为120mA,增益为29dB,输出P-1为27dBm,当输出功率为18dBm时误差向量幅度为-34dB;接收通路的直流电流为6mA,增益为12.5dB,噪声系数为2.4dB,输出P-1为10dBm。同时,芯片集成功率检测功能可用于实现发射系统的动态增益控制。ESD测试结果显示,各端口的ESD保护能力大于1 500V(HBM模式)。

主 题 词：射频前端芯片 802.11ac标准 误差向量幅度 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19623/j.cnki.rpsse.2018.06.004

馆 藏 号：203424163...