采用高级3.3kV IGBT3芯片技术并具有高机械性能的高功率IGBT模块

作     者：Th.Stolze J.Biermann R.Spanke M.Pfaffenlehner 

作者机构：英飞凌科技股份公司 

出 版 物：《电力电子》 (Power Electronics)

年 卷 期：2009年第7卷第1期

页      码：38-41,37页

摘      要：新型功率电子器件通常要求更高的功率密度、可靠性和更简单的封装形式;具有比现有产品更高的芯片热效率和电气效率,以及更高的健壮性和模块可靠性,同时兼容现有的设计,已成为最新模块开发的目标。

主 题 词：IGBT 模块 器件 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203425330...