基于PD SOI的GCNMOS电源箝位保护电路

作     者：王忠芳 谢成民 赵德益 吴龙胜 刘佑宝 WANG Zhongfang;XIE Chengmin;ZHAO Deyi;WU Longsheng;LIU Youbao

作者机构：西安微电子技术研究所研究生部陕西西安710054 

基　　金：预先研究基金资助项目(编号:51308010610) 

出 版 物：《武汉大学学报（工学版）》 (Engineering Journal of Wuhan University)

年 卷 期：2011年第44卷第2期

页      码：245-248页

摘      要：随着绝缘体上硅(SOI)技术的快速进展,SOI集成电路的静电放电(ESD)保护已成为一个主要的可靠性问题.研究了基于PD SOI工艺的栅耦合N型金属氧化物半导体管(GCNMOS)电源箝位保护电路,以形成全芯片ESD保护网络.利用HSPICE仿真的方法,可以准确地确定R值和C值,以确定合理的触发电压.根据PD SOI工艺特点设计了基于不同体偏置类型、不同源漏注入类型和不同栅宽的NMOS管的各种GCNMOS电源箝位保护电路,并进行了MPW流片及TLP测试分析,得到源漏深注、体悬浮的H型栅NMOS组成的GCN MOS电源箝位保护电路的抗ESD能力最好,单位宽度(1μm)抗HBM ESD能力可达9.25 V.

主 题 词：静电放电(ESD) 部分绝缘体上硅(PD SOI) 栅耦合NMOS 电源箝位 保护电路 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203426322...