高k栅介质InGaAs MOSFET结构的设计与仿真

作     者：朱述炎 叶青 汪礼胜 徐静平 

作者机构：华中科技大学光学与电子信息学院武汉430074 武汉理工大学理学院物理科学与技术系武汉430070 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61176100) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2014年第44卷第2期

页      码：237-240,244页

摘      要：利用半导体仿真工具Silvaco TCAD,研究了高k栅介质InGaAs MOSFET的三种结构:缓冲层结构、侧墙结构和基本结构。通过对三种结构MOSFET的阈值电压、亚阈值摆幅以及漏源电流进行比较分析,得出缓冲层结构InGaAs MOSFET具有最佳的电学特性,侧墙结构的MOSFET次之。进一步分析发现,当缓冲层结构InGaAs MOSFET的沟道厚度大于80nm时,可获得稳定的电性能。

主 题 词：MOSFET InGaAs 高k栅介质 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203427747...