残留应变对晶格失配太阳电池设计的影响

作     者：刘如彬 孙强 王帅 李慧 张启明 LIU Ru-bin;SUN Qiang;WANG Shuai;LI Hui;ZHANG Qi-ming

作者机构：中国电子科技集团公司第十八研究所天津300384 

出 版 物：《电源技术》 (Chinese Journal of Power Sources)

年 卷 期：2015年第39卷第5期

页      码：947-949页

摘      要：由于晶格失配太阳电池中存在残留应变,1.0eV InGaAs子电池和0.7eV InGaAs子电池的带隙不再固定地对应于单一In组份,而是与In组份和残留应变都有关系。从实验和理论上研究了残留应变对晶格失配太阳电池带隙的影响,计算了不同应变和组份的InGaAs电池的等带隙分布线,并讨论了残留应变对晶格失配太阳电池设计的影响。

主 题 词：晶格失配 太阳电池 残留应变 电池设计 

学科分类：08[工学] 080502[080502] 0805[工学-能源动力学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1002-087X.2015.05.024

馆 藏 号：203428335...