基于电荷补偿的槽栅IGBT设计和工艺研究

作     者：袁寿财 乐江源 宋力 刘亚媚 YUAN Shoucai;LE Jiangyuan;SONG Li;LIU Yamei

作者机构：赣南师范学院物理与电子信息学院江西赣州341000 

基　　金：国家自然科学基金项目(51377025) 江西省教育厅科技项目(GJJ13661) 

出 版 物：《赣南师范学院学报》 (Journal of Gannan Teachers' College(Social Science(2)))

年 卷 期：2015年第36卷第3期

页      码：30-33页

摘      要：大功率半导体器件是现代工业和国防进行能量转换及控制的核心器件,也是制约我国电力电子技术水平和竞争力提升的关键器件.本文以降低器件导通电阻和功耗、提高击穿电压为目标研究电荷补偿槽栅IGBT,着重器件结构创新和关键工艺优化.电荷补偿槽栅IGBT导通电阻与器件间隔排列的p、n区半导体层厚及击穿电压成正比,相比传统IGBT导通电阻正比于击穿电压2.5次方理论,同等击穿电压下,允许n区有更高的掺杂浓度,这降低了器件的导通电阻和功耗.采用倾斜角离子注入制作电荷补偿结构,调节注入倾斜角和优化注入剂量是精确控制n区掺杂浓度的有效方法,也是保证器件电参数指标的关键制作工艺.用难熔金属硅化物设计双掩膜版的全自对准制作工艺,系统研究电荷补偿槽栅IGBT工艺制作原理,探索保证器件电参数指标的制作工艺控制机制,提出电荷补偿槽栅IGBT结构和版图设计优化方法和制作工艺参数优化方法.

主 题 词：电荷补偿 槽栅IGBT 全自对准制作工艺 研究 硅化物 掩膜 漂移区 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

D　O　I：10.13698/j.cnki.cn36-1037/c.2015.03.008

馆 藏 号：203428367...