CMOS工艺兼容的单片集成湿度传感器

作     者：彭韶华 黄庆安 秦明 张中平 Peng Shaohua;Huang Qing'an;Qin Ming;Zhang Zhongping

作者机构：东南大学MEMS教育部重点实验室南京210096 

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA404030) 国家自然科学基金(批准号:60476019) 江苏省自然科学基金(批准号:BK2003052)资助项目~~ 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2006年第27卷第2期

页      码：358-362页

摘      要：设计并制备了一个CMOS工艺兼容的集成湿度传感器，将湿度传感器与CMOS测量电路集成在同一芯片上．片上集成的湿度传感器为叉指电容式，感湿介质为聚酰亚胺，本文给出了相应的感湿模型-针对湿度传感器在全量程电容变化量较小的特点，本文采用开关电容电路作为片上微电容测量电路，讨论了电路的原理并给出了模拟结果．芯片采用3μm多晶硅栅标准CMOS工艺进行流水．测量结果表明，片上集成湿度传感器在5～35℃有较好的直流输出特性，并且长时间稳定性良好．

主 题 词：开关电容电路 聚酰亚胺 CMOS兼容工艺 湿度传感器 

学科分类：080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0253-4177.2006.02.031

馆 藏 号：203432530...