一种新型高性能开关电流存储单元的设计

作     者：谈作伟 王卫东 TAN Zuowei;WANG Weidong

作者机构：桂林电子科技大学信息与通信学院桂林541004 

基　　金：广西科学研究与技术开发计划项目资助(0731021) 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2009年第32卷第6期

页      码：1077-1079,1083页

摘      要：利用一种新技术,在低压(1.8 V)条件下,设计了一种高性能的开关电流(SI)存储单元电路。该电路通过在基本存储单元基础上增加一个电压反转跟随器电路(FVF),从存储晶体管的输入端直接消除时钟馈通(CFT)误差电压,从而阻止了电流误差的产生,使得输出端的CFT误差电流降为原来的6%,并通过Hspice给出了仿真结果。结果表明所设计的电路方案正确有效。

主 题 词：SI存储单元 FVF 时钟馈通误差 Hspice 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2009.06.022

馆 藏 号：203432860...