APCVD制备氮化硅薄膜的微观结构

作     者：杨辉 丁新更 孟祥森 马青松 葛曼珍 

作者机构：浙江大学无机非金属材料研究所浙江杭州310027 浙江省建筑科学设计研究院浙江杭州310012 

基　　金：国家自然科学基金!59572006 浙江省151人才工程基金 

出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期：2000年第31卷第6期

页      码：635-636页

摘      要：以SiH4和NH3作为反应气体,用常压化学气相沉积(APCVD)法在平板玻璃表面制备出了氮化硅薄膜,研究氮化硅薄膜的形貌和微观结构,研究结果表明:在660℃温度所获得的氮化硅薄膜为非晶态,氮化硅薄膜与平板玻璃基板之间的界面有熔焊现象,结合牢固。

主 题 词：化学气相沉积 氮化硅薄膜 微观结构 

学科分类：081702[081702] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1001-9731.2000.06.027

馆 藏 号：203433058...