SiPM阵列电子特性建模和三维测深仪前端电子学优化

作     者：聂瑞杰 徐智勇 张启衡 王华闯 程华 NIE Rui-jie;XU Zhi-yong;ZHANG Qi-heng;WANG Hua-chuang;CHENG Hua

作者机构：中国科学院光电技术研究所四川成都610209 中国科学院研究生院北京100039 

基　　金：中科院科技创新基金资助项目(No.A08K001) 

出 版 物：《光学精密工程》 (Optics and Precision Engineering)

年 卷 期：2012年第20卷第8期

页      码：1661-1668页

摘      要：从硅光电倍增管(SiPM)单个微元的微等离子体电子行为模型出发,分析了SiPM的电子特性,提出了SiPM前端电子学最优设计方案。阐述了SiPM的工作机理,给出了SiPM的电子行为模型,分析了SiPM应用于水下三维测深的优势。根据水下测深信号的回波特性,设计了高速、高带宽的前置放大器,并对前置放大器进行了交流分析和瞬态分析。结果表明,该前置放大电路在带宽内具有很高的增益平坦度,相位裕度大于60°,基本保证了信号的完整性,同时保持了激光脉冲的波形。分析和测试结果表明,该探测器和电路设计方案完全能够满足水下三维测深的需要。

主 题 词：硅光电倍增管(SiPM) 微等离子体 电子行为模型 三维测深仪 前置放大电路 最优设计 

学科分类：0809[工学-计算机类] 07[理学] 08[工学] 0707[理学-海洋科学类] 070701[070701] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/ope.20122008.1661

馆 藏 号：203433122...