GaN氢化物气相外延生长系统的设计与制作

作     者：卢佃清 修向前 LU Dian-qing;XIU Xiang-qian

作者机构：淮海工学院数理科学系江苏连云港222005 南京大学物理系江苏南京210093 

出 版 物：《物理实验》 (Physics Experimentation)

年 卷 期：2006年第26卷第3期

页      码：16-18页

摘      要：根据GaN氢化物气相外延生长(HVPE)的原理,设计制作了双温区卧式HVPE系统．根据实际生长中出现的问题和CaN样品的测试情况,对系统进行了逐步的调试和改进．

主 题 词：氢化物气相外延 GaN 双温区 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.19655/j.cnki.1005-4642.2006.03.004

馆 藏 号：203434634...