KTP倍频器件温度适应性扩展研究

作     者：李晓明 沈学举 刘恂 王琳 Li Xiao-Ming;Shen Xue-Ju;Liu Xun;Wang Lin

作者机构：军械工程学院电子与光学工程系 中国人民解放军77108部队 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2015年第64卷第9期

页      码：311-316页

摘      要：针对目前最常用的KTP倍频晶体,综合考虑其有效非线性系数和温度半宽度,采用折中设计有效扩展KTP倍频器件适用温度范围.对大适用温度范围的KTP倍频器件的设计方法进行了详细的理论分析,并设计了一种温度半宽度为-20℃到50℃的KTP倍频器件.实验结果表明该器件在15℃时达到峰值转换效率22.7%,温度半宽度为70℃.和通常情况下设计的KTP倍频器件相比,尽管倍频转换效率有所下降,但显著提高了适用温度范围.且在温度半宽度高达70℃情况下,其有效非线性系数仍大于LBO,BBO等倍频器件.该方法对于扩展倍频器件的温度适应性具有普适性.

主 题 词：非线性光学效应 倍频器件 温度适应性 相位匹配 

学科分类：070207[070207] 07[理学] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0704[理学-天文学类] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.64.094205

馆 藏 号：203434636...