开关电阻对SC放大器速度的影响和优化方法

作     者：梁伟伟 阴亚东 阎跃鹏 LIANG Wei-wei;YIN Ya-dong;YAN Yue-peng

作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 

基　　金：国家"八六三"计划项目(2007AA01Z2a8) 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2010年第27卷第4期

页      码：25-28页

摘      要：在开关电容(SC)放大器中,由于MOS开关导通电阻的存在,会对其建立速度产生影响.首先使用跨导运算放大器的一阶线性模型推导了包含开关导通电阻的开关电容放大器的闭环传输函数,通过分析极点和零点的分布,研究了放大器中不同位置开关的导通电阻对阶跃响应的影响.进而提出了一种MOS开关的优化设计方法来缩短放大器阶跃响应的建立时间.最后使用电路仿真工具验证了该方法的有效性.

主 题 词：开关电容放大器 MOS开关 建立时间 阶跃响应 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2010.04.007

馆 藏 号：203434666...